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待测样品地域: 不限天津(4)
检测样品检测项目检测依据
光电子材料参数 InSb位错密度 GB/T11297.6-1989锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 查看服务详情
光电子材料参数 InSb电学参数 GB/T11297.7-1989锑化铟单晶电阻率及霍尔系数测试方法 查看服务详情
InSb单晶 全部参数 SJ20641-1997红外探测器用锑化铟单晶规范 查看服务详情
InSb加工片 全部参数 GB/T11072-2009锑化铟多晶、单晶及切割片 查看服务详情



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